【生卒】：1918—
【介绍】：
半导体材料科学家。
女，1918年2月7日生，福建莆田人。中共党员。
现任第八届全国人大常委会委员，中国科学技术协会荣誉委员，中国科学院半导体研究所所究员。
1940年至1948年在福建协和大学物理系毕业后留校任助教、讲师。
1948年至1955年在美国狄金逊学院数学系学习，在美国宾州大学物理系攻读硕士、博士学位。1955年至1957年任美国斯盆尼亚公司半导体材料物理高级工程师。
1957年至1977年任中国科学院物理研究所半导体室组长、室主任。1977年以后任中国科学院半导体研究所副所长、研究员。
1980年、1986年、1991年连续当选为第二、三、四届中国科学技术协会副主席。1996年授予中国科学技术协会荣誉委员。
是第七、八届全国人大常委会委员、教科文卫委员会委员，中国电子学会常务理事、电子材料委员会主任委员。
长期从事半导体材料科学研究工作。
她带领研究人员先后研制成功以单晶锗、硅、锑、化铟、砷化镓、磷化镓等，为我国半导体材料填补了空白。砷化镓材料的纯度达到了国际先进水平。曾发表《锑化铟的机械损伤》、《锑化铟的热处理》、《原生直控无位错硅单晶中旋涡缺陷的观察》等多篇重要论文。
1996年获何梁何利基金科学与技术进步奖。
1980年11月当选为中国科学院学部委员(院士)。
